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에지 노광

에지 노광
edge exposure, -露光 [기초]

반도체 웨이퍼의 표면에 포토 레지스트를 도포하고 노광, 현상을 수행하여 패턴을 형성하는 과정에서, 웨이퍼 이동시 또는 노광, 현상과정에서 발생되는 웨이퍼 에지의 불량원인을 제거하기 위하여 웨이퍼 주변부의 일정 폭을 자외선으로 조사하여 제거하는 공정.
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